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参数资料
| 型号： | SS2P2 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
| 封装： | PLASTIC, SMP, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 329K |
| 代理商： | SS2P2 |
SS2P2, SS2P3 & SS2P4
Document Number 88910
10-Nov-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
1
DO-220AA (SMP)
New Product
High Current Density Surface Mount
Schottky Barrier Rectifiers
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
2 A
VRRM
20 V, 30 V, 40 V
IFSM
50 A
EAS
11.25 mJ
VF
0.50 V
Tj max.
150 °C
Features
Very low profile - typical height of 1.0 mm
Ideal for automated placement
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency
Low thermal resistance
Meets MSL level 1 per J-STD-020C
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters, free-
wheelling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications
Mechanical Data
Case: DO-220AA (SMP)
Epoxy meets UL-94V-0 flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes the cathode end
Maximum Ratings
(TA = 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
SS2P2
SS2P3
SS2P4
Unit
Device marking code
22
23
24
Maximum repetive peak reverse voltage
VRRM
20
30
40
V
Maximum average forward rectified current see Fig. 1
IF(AV)
2.0
A
Peak forward surge current 10 ms single half sine-
wave superimposed on rated load
IFSM
50
A
Non-repetitive avalanche energy
at IAS = 1.5 A, L = 10 mH, TJ = 25 °C
EAS
11.25
mJ
Voltage rate of change (rated VR)
dv/dt
10000
V/us
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS2P2-E3 | 2 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
| SS2P5-M3/85A | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
| SS2P5HM3/85A | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
| SS2P6HM3/85A | 2 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
| SS2P6HM3/84A | 2 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SS2P2_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
| SS2P2-E3/84A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2.0 Amp 20 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS2P2-E3/85A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Volt 2.0 Amp 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS2P2HE3/84A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Volt 2.0 Amp 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS2P2HE3/85A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Volt 2.0 Amp 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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