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参数资料
| 型号： | SS34-HE3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | SS34-HE3 |
SS32 thru SS36
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88751
Revision: 23-Jan-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Current Characteristics
0
0.4
0.8
1.2
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.6
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
SS32 - SS34
SS35 & SS36
0
20
40
60
80
100
10
1
0.1
0.01
0.001
SS32 - SS34
SS35 & SS36
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
T
A = 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
10
1000
SS32 - SS34
SS35 & SS36
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
100
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
0.260 (6.60)
0.280 (7.11)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.2)
0.305 (7.75)
0.320 (8.13)
0.220 (5.59)
0.246 (6.22)
0.079 (2.06)
0.103 (2.62)
0.114 (2.90)
0.126 (3.20)
Cathode Band
DO-214AB (SMC)
0.185 (4.69)
MAX.
0.320 REF.
0.126 (3.20)
MIN.
0.060 (1.52)
MIN.
Mounting Pad Layout
0 (0)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS36 | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SS3H10-E3/57T | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SS3H9-E3/57T | 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SS3H9-E3/9AT | 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SS3H9-HE3/9AT | 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SS34HE3/57T | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS34HE3/59T | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS34HE3/9AT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS34HE3/9CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS34HE3_A/H | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40V; Forward Current If(AV):3A; Forward Voltage VF Max:500mV; Forward Surge Current Ifsm Max:100A; Operating Temperature Min:-55C ;RoHS Compliant: Yes |
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