参数资料
型号: SS36HE3/57T
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 整流器
英文描述: 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 370K
代理商: SS36HE3/57T
SS32 thru SS36
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88751
Revision: 23-Jan-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Current Characteristics
0
0.4
0.8
1.2
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.6
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
SS32 - SS34
SS35 & SS36
0
20
40
60
80
100
10
1
0.1
0.01
0.001
SS32 - SS34
SS35 & SS36
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
T
A = 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
10
1000
SS32 - SS34
SS35 & SS36
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
100
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
0.260 (6.60)
0.280 (7.11)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.2)
0.305 (7.75)
0.320 (8.13)
0.220 (5.59)
0.246 (6.22)
0.079 (2.06)
0.103 (2.62)
0.114 (2.90)
0.126 (3.20)
Cathode Band
DO-214AB (SMC)
0.185 (4.69)
MAX.
0.320 REF.
0.126 (3.20)
MIN.
0.060 (1.52)
MIN.
Mounting Pad Layout
0 (0)
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PDF描述
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