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参数资料
| 型号： | SS8P3CLHM3/86A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 92K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 8A 30V SMPC |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | eSMP™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 540mV @ 4A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 300µA @ 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 4A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商设备封装： | TO-277A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Document Number: 89030 For technical questions within your region, please contact one of the following: www.vishay.com
Revision: 10-May-11
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
SS8P2CL, SS8P3CL
Vishay General Semiconductor
New Product
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Maximum Forwar
d Current Derating Curve
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
2
4
6
8
10
0 25 50 75 100 125 150 175
Average Forward C
u
rrent (A)
Lead Temperature (°C)
Resistive or Inductive Load
TL
meas
ured
at the Cathode Band Terminal
0
0.8
0.4
1.2
1.6
2.0
2.4
01 23 45
Average Forward Current (A)
Average Power Loss (W)
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5D = 0.3
D = 0.8
D = 1.0
D = tp/T tp
T
0.01
0.1
1
10
100
0 0.4 0.5 0.6 0.7 0.80.1 0.30.2
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s Forward C
u
rrent (A)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10 20 30 40 6050 70 9080 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Reverse C
u
rrent (mA)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
100
1000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mVp-p
0.01 0.1 1 10 100
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/W)
Junction to Ambient
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS8P4CHM3/86A | DIODE SCHOTTKY 8A 40V SMPC |
| SS8P6CHM3/86A | DIODE SCHOTTKY 8A 60V SMPC |
| SSL-LX100T123SIC | LED 10MM 1W HP 636NM RED CLEAR |
| SSL-LX100T123SYC | LED 10MM 1W HP 590NM YLW CLEAR |
| SSL-LX100T123UPGC | LED 10MM 1W HP 525NM GRN CLEAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SS8P3CLHM3-87A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
| SS8P3CL-M3/86A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS8P3CL-M3/87A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS8P3CL-M3-86A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
| SS8P3CL-M3-87A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
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