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参数资料
| 型号： | SS8PH9HM3/87A |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | SS8PH9HM3/87A |
New Product
SS8PH9, SS8PH10
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 28-Jun-11
3
Document Number: 88989
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Maximum Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
0
2
1
3
4
5
6
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8
9
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100
110
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A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Lead Temperature (°C)
T
L measured
at the Cathode Band Terminal
Resistive or Inductive Load
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
Average Forward Current (A)
A
v
er
age
P
o
w
e
rLoss
(W)
D = t
p/T
t
p
T
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
T
A = 175 °C
T
A = 125 °C
T
A = 150 °C
T
A = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
orw
ard
C
u
rrent
(A)
0.001
0.01
0.1
1
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1000
10 000
10
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30
40
50
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90
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Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(A)
T
A = 175 °C
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
10
100
1000
0.1
1
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Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
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1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/W)
Junction to Ambient
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PDF描述 |
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