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参数资料
| 型号： | SSD2015 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|配对| P通道| 12V的五（巴西）直| 3.8AI（四）|苏 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | SSD2015 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSD2019A | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
| SSD2101 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
| SSD2102 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SO |
| SSD2104 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO |
| SSD2106 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSD20163P00240T-D01 | 制造商:Legacy Electronics Inc 功能描述:2.5- SSD, 16GB SATA II, SLC, I-TEMP - Bulk |
| SSD2017ATF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSD2019A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
| SSD2019ATF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSD2021TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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