参数资料
型号: SSN1N45BBU
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 450V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.25 欧姆 @ 250mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 散装
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = L I AS2 --------------------
----
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2 BV DSS - V DD
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SSN1N45B Rev. C 0
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
SSN1N45BTA 功能描述:MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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