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参数资料
| 型号： | SSR1N60 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 600V的五（巴西）直| 1A条（丁）|至252 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | SSR1N60 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSR1N60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-252AA |
| SSU1N50A | 5V, 3.3V, ISR™ High-Performance CPLDs |
| SSU1N55 | IC MCU 8K FULL SPEED USB 28SDIP |
| SSU1N60 | IC MCU 8K LS USB/PS-2 18-DIP |
| SSU1N60A | EZ-USB FX2LP™ USB Microcontroller High-Speed USB Peripheral Controller |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSR1N60A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-252AA |
| SSR1N60B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| SSR1N60BTF | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/0.9a/12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSR1N60BTF_WS | 功能描述:MOSFET 600V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSR1N60BTM | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/0.9a/12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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