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参数资料
| 型号： | SST-2010-GG-31-L |
| 厂商： | SAMTEC INC |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | PGA200, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SST-2010-GG-31-L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST-2010-GG-32-L | PGA200, IC SOCKET |
| SST-2010-GG-34-L | PGA200, IC SOCKET |
| SST-2010-GT-02-L | PGA200, IC SOCKET |
| SST-2010-GT-11-L | PGA200, IC SOCKET |
| SST-2010-GT-12-L | PGA200, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST201-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| SST201-T1 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| SST201-T1-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| SST201-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:JFET |
| SST202 | 功能描述:JFET 40V 0.8mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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