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参数资料
| 型号： | SST12LP15-QVCE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP 2.4GHZ 16VQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 频率： | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| P1dB： | 29dBm（794.3mW） |
| 增益： | 36dB |
| RF 型： | 802.11b/g |
| 电源电压： | 3 V ~ 4.2 V |
| 电流 - 电源： | 340mA |
| 测试频率： | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | * |
2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
A Microchip Technology Company
SST12LP15
Not Recommended for New Designs
Typical Performance Characteristics
Test Conditions: F1 = 2.45 GH Z , F2 = 2.451 GH Z
Gain
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
P OUT (dBm)
Figure 6: Gain vs. P OUT
IM3
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
P OUT (dBm)
Figure 7: IM3 vs. P OUT
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
9
DS75030A
10/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST12LP15B-QVCE | IC RF PWR AMP 802.11B/G/N 16VQFN |
| SST13LP05-MLCF | IC RF PWR AMP 802.11A/B/G LGA |
| STD5406NT4G | MOSFET N CH 40V 70A DPAK |
| SUD17N25-165-E3 | MOSFET N-CH D-S 250V TO252 |
| SUD19N20-90-T4-E3 | MOSFET N-CH D-S 200V TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST12LP15-QVCE-K | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier |
| SST12LP15-QVC-K | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier |
| SST12LP17B-XX8E | 功能描述:功率放大器 WLAN 11b/g/n PA (Low Current) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
| SST12LP17E-QU8E | 功能描述:射频放大器 WLAN 11b/g/n Fully-integrated PA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| SST12LP17E-XX8E | 功能描述:功率放大器 WLAN 11b/g/n Fully-integrated PA RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
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