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参数资料
| 型号： | SST25VF020-20-4I-QAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 2MB 20MHZ SPI 8WSON |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 管件 |
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2 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF020
Not Recommended for New Designs
Byte-Program
The Byte-Program instruction programs the bits in the selected byte to the desired data. The selected
byte must be in the erased state (FFH) when initiating a Program operation. A Byte-Program instruction
applied to a protected memory area will be ignored.
Prior to any Write operation, the Write-Enable (WREN) instruction must be executed. CE# must remain
active low for the duration of the Byte-Program instruction. The Byte-Program instruction is initiated by
executing an 8-bit command, 02H, followed by address bits [A 23 -A 0 ]. Following the address, the data is
input in order from MSB (bit 7) to LSB (bit 0). CE# must be driven high before the instruction is exe-
cuted. The user may poll the Busy bit in the software status register or wait T BP for the completion of
the internal self-timed Byte-Program operation. See Figure 6 for the Byte-Program sequence.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39
SCK
MODE 0
SI
MSB
02
ADD.
MSB
ADD.
ADD.
D IN
MSB
LSB
SO
HIGH IMPEDANCE
1231 F05.1
Figure 6: Byte-Program Sequence
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
11
DS25078A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF020-20-4C-QAE | IC FLASH SER 2MB 20MHZ SPI 8WSON |
| 24AA128-I/SM | IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8SOIC |
| 24FC128-I/SM | IC EEPROM 128KBIT 1MHZ 8SOIC |
| 25AA320A-I/P | IC EEPROM 32KBIT 10MHZ 8DIP |
| 24LC256-I/PG | IC EEPROM 256KBIT 400KHZ 8DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF020-20-4I-QAE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020-20-4I-S2AE | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:2 Mbit / 4 Mbit SPI Serial Flash |
| SST25VF020-20-4I-SA | 功能描述:闪存 RO 804-25VF0202ESA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020-20-4I-SAE | 功能描述:闪存 256K X 8 14 us Industrial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020-20-4I-SAE_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
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