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参数资料
| 型号： | SST25VF080B-80-4C-QAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 8MB 80MHZ SPI 8WSON |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 管件 |
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8 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF080B
Data Sheet
Byte-Program
The Byte-Program instruction programs the bits in the selected byte to the desired data. The selected
byte must be in the erased state (FFH) when initiating a Program operation. A Byte-Program instruction
applied to a protected memory area will be ignored.
Prior to any Write operation, the Write-Enable (WREN) instruction must be executed. CE# must remain
active low for the duration of the Byte-Program instruction. The Byte-Program instruction is initiated by
executing an 8-bit command, 02H, followed by address bits [A 23 -A 0 ]. Following the address, the data is
input in order from MSB (bit 7) to LSB (bit 0). CE# must be driven high before the instruction is exe-
cuted. The user may poll the Busy bit in the software status register or wait T BP for the completion of
the internal self-timed Byte-Program operation. See Figure 7 for the Byte-Program sequence.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39
SCK
MODE 0
SI
MSB
02
ADD.
MSB
ADD.
ADD.
D IN
MSB
LSB
SO
HIGH IMPEDANCE
1296 ByteProg.0
Figure 7: Byte-Program Sequence
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
12
DS25045A
09/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF080B-80-4I-QAE | IC FLASH SER 8MB 80MHZ SPI 8WSON |
| 25LC128T-E/MF | IC EEPROM 128KBIT 10MHZ 8DFN |
| SST25WF020-40-5I-QAE-T | IC FLASH SER 2MB 40MHZ SPI 8WSON |
| 23K256-E/ST | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8TSSOP |
| 3341-32KIT | CONN JACKSOCKET #4-40 0.50" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF080B-80-4C-QAE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 8Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF080B-80-4C-QAF | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:8 Mbit SPI Serial Flash |
| SST25VF080B-80-4C-S2AE | 功能描述:闪存 8M (1Mx8) 80MHz 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF080B-80-4C-S2AE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 8Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF080B-80-4C-S2AF | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:8 Mbit SPI Serial Flash |
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