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参数资料
| 型号： | SST25VF080B-80-4C-S2AE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 23/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 8MB 50MHZ SPI 8SOIC |
| 标准包装： | 2,100 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF080B
Data Sheet
Electrical Specifications
Absolute Maximum Stress Ratings (Applied conditions greater than those listed under “Absolute
Maximum Stress Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these conditions or conditions greater than those defined in the
operational sections of this data sheet is not implied. Exposure to absolute maximum stress rating con-
ditions may affect device reliability.)
Temperature Under Bias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C to +125°C
Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65°C to +150°C
D. C. Voltage on Any Pin to Ground Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to V DD +0.5V
Transient Voltage (<20 ns) on Any Pin to Ground Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . . -2.0V to V DD +2.0V
Package Power Dissipation Capability (T A = 25°C). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Surface Mount Solder Reflow Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C for 10 seconds
Output Short Circuit Current 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
1. Output shorted for no more than one second. No more than one output shorted at a time.
Table 8: Operating Range
Range
Commercial
Industrial
Ambient Temp
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
V DD
2.7-3.6V
2.7-3.6V
T8.1 25045
Table 9: AC Conditions of Test 1
Input Rise/Fall Time
5ns
Output Load
C L = 30 pF
T9.1 25045
1. See Figures 26 and 27
Table 10: DC Operating Characteristics (SST25VF080B-50-xx-xxxx)
Limits
Symbol Parameter
Min
Max Units Test Conditions
I DDR
I DDR2
I DDW
I SB
I LI
I LO
V IL
V IH
V OL
V OL2
V OH
Read Current
Read Current
Program and Erase Current
Standby Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7 V DD
V DD -0.2
10
15
30
20
1
1
0.8
0.2
0.4
mA
mA
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
CE#=0.1 V DD /0.9 V DD @25 MHz, SO=open
CE#=0.1 V DD /0.9 V DD @50 MHz, SO=open
CE#=V DD
CE#=V DD , V IN =V DD or V SS
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OL =1.6 mA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T10.0 25045
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
23
DS25045A
09/11
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参数描述 |
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