- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4551 > SST25VF512A-33-4C-SAE (Microchip Technology)IC FLASH SER 512K 33MHZ 8SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SST25VF512A-33-4C-SAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 512K 33MHZ 8SOIC |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 33MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1452 (CN2011-ZH PDF) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
512 Kbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF512A
Data Sheet
Write-Enable (WREN)
The Write-Enable (WREN) instruction sets the Write-Enable-Latch bit to 1 allowing Write operations to
occur. The WREN instruction must be executed prior to any Write (Program/Erase) operation. CE#
must be driven high before the WREN instruction is executed.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
SI
SO
MODE 0
06
MSB
HIGH IMPEDANCE
1264 F12.0
Figure 13: Write Enable (WREN) Sequence
Write-Disable (WRDI)
The Write-Disable (WRDI) instruction resets the Write-Enable-Latch bit and AAI bit to 0 disabling any
new Write operations from occurring. CE# must be driven high before the WRDI instruction is exe-
cuted.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
SI
SO
MODE 0
04
MSB
HIGH IMPEDANCE
1264 F13.0
Figure 14: Write Disable (WRDI) Sequence
Enable-Write-Status-Register (EWSR)
The Enable-Write-Status-Register (EWSR) instruction arms the Write-Status-Register (WRSR)
instruction and opens the status register for alteration. The Enable-Write-Status-Register instruction
does not have any effect and will be wasted, if it is not followed immediately by the Write-Status-Regis-
ter (WRSR) instruction. CE# must be driven low before the EWSR instruction is entered and must be
driven high before the EWSR instruction is executed.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
16
DS25090A
10/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABM43DRKI-S13 | CONN EDGECARD EXTEND 86POS .156 |
| GSM44DRAN | CONN EDGECARD 88POS R/A .156 SLD |
| 25LC040-I/SN | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC |
| 25AA040-I/SN | IC EEPROM 4KBIT 1MHZ 8SOIC |
| 25LC040/SN | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF512A-33-4C-SAE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MEMORY FLASH 512K SPI 8SOIC |
| SST25VF512A-33-4C-SAE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7V to 3.6V 512Kbit SPI Seria |
| SST25VF512A-33-4C-SAE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 512Kbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4C-ZAE | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 512Kbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4E-QAE | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit SPI Serial Flash |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。