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参数资料
| 型号： | SST38VF6401-90-5C-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 42/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 64MBIT 90NS 48TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST38 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（4M x 16） |
| 速度： | 90ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
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64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST38VF6401 / SST38VF6402 / SST38VF6403 / SST38VF6404
Data Sheet
SIX-BYTE CODE FOR BLOCK-ERASE
T BE
ADDRESS AMS-0
555
2AA
555
555
2AA
BA X
CE#
OE#
T WP
WE#
DQ15-0
XXAA
SW0
XX55
SW1
XX80
SW2
XXAA
SW3
XX55
SW4
XX30
SW5
T Busy
RY/BY#
Note: This device also supports CE# controlled Block-Erase operation The WE# and
CE# signals are interchangeable as long as minimum timings are met. (See Table 24)
BA X = Block Address
A MS = Most significant address
A MS = A 21 for SST38VF6401/6402/6403/6404
WP# must be held in proper logic state (V IL or V IH ) 1 μs prior to and 1 μs after the command sequence.
X can be V IL or V IH, but no other value.
Figure 14: WE# Controlled Block-Erase Timing Diagram
1309 F09.1
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
42
DS-25015A
04/11
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SST38VF6401B | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus |
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