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参数资料
| 型号： | SST38VF6402-90-5C-B3KE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 29/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 64MBIT 90NS 48TFBGA |
| 标准包装： | 480 |
| 系列： | SST38 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（4M x 16） |
| 速度： | 90ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST38VF6401 / SST38VF6402 / SST38VF6403 / SST38VF6404
Data Sheet
Table 14: System Interface Information for SST38VF6401/6402/6403/6404
Address
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
Data
0027H
0036H
0000H
0000H
0003H
0003H
0004H
0005H
0001H
0003H
0001H
0001H
Description
V DD Min (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V DD Max (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V PP min. (00H = no V PP pin)
V PP max. (00H = no V PP pin)
Typical time out for Word-Program 2 N μs (2 3 = 8 μs)
Typical time out for min. size buffer program 2 N μs (00H = not supported)
Typical time out for individual Sector/Block-Erase 2 N ms (2 4 = 16 ms)
Typical time out for Chip-Erase 2 N ms (2 5 = 32 ms)
Maximum time out for Word-Program 2 N times typical (2 1 x 2 3 = 16 μs)
Maximum time out for buffer program 2 N times typical
Maximum time out for individual Sector/Block-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 4 = 32 ms)
Maximum time out for Chip-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 5 = 64 ms)
T14.0 25015
Table 15: Device Geometry Information for SST38VF6401/6402/6403/6404
Address
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
Data
0017H
0001H
0000H
0005H
0000H
0002H
00FFH
0003H
0000H
0001H
007FH
0000H
0000H
0001H
Description
Device size = 2 N Bytes (17H = 23; 2 23 = 8 MByte)
Flash Device Interface description; 0001H = x16-only asynchronous interface
Maximum number of bytes in multi-byte write = 2 N (00H = not supported)
Number of Erase Sector/Block sizes supported by device
Sector Information (y + 1 = Number of sectors; z x 256B = sector size)
y = 2047 + 1 = 2048 sectors (03FFH = 1023)
z = 32 x 256 Bytes = 8 KBytes/sector (0100H = 32)
Block Information (y + 1 = Number of blocks; z x 256B = block size)
y =127 + 1 = 128 blocks (007FH = 127)
z = 256 x 256 Bytes = 64 KBytes/block (0100H = 256)
T15.1 25015
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
29
DS-25015A
04/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SST38VF6402-90-5I-B3KE | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST38VF6402-90-5I-B3KE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST38VF6402-90-5I-EKE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST38VF6402B | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus |
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