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参数资料
| 型号： | SST38VF6404-90-5I-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 33/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 64MBIT 90NS 48TSOP |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST38 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（4M x 16） |
| 速度： | 90ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
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64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST38VF6401 / SST38VF6402 / SST38VF6403 / SST38VF6404
Data Sheet
DC Characteristics
Table 20: DC Operating Characteristics V DD = 2.7-3.6V 1
Limits
Symbol Parameter
Power Supply Current
I DD
Min
Max
Units
Test Conditions
Address input=V ILT /V IHT2 , V DD =V DD
Max
Read 3
18
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH at f= 5
MHz
Intra-Page Read @5 MHz
Intra-Page Read @40 MHz
Program and Erase
Program-Write-Buffer-to-
2.5
20
35
50
mA
mA
mA
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
Flash
I SB
I ALP
Standby V DD Current
Auto Low Power
30
20
μA
μA
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
CE#=V ILC , V DD =V DD Max
All inputs=V SS or V DD, WE#=V IHC
I LI
I LIW
Input Leakage Current
Input Leakage Current
1
10
μA
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
WP#=GND to V DD or RST#=GND to
on WP# pin and RST#
V DD
I LO
V IL
V ILC
V IH
V IHC
V OL
V OH
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7V DD
V DD -0.3
V DD -0.2
10
0.8
0.3
0.2
μA
V
V
V
V
V
V
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T20.0 25015
1. Typical conditions for the Active Current shown on the front page of the data sheet are average values at 25°C
(room temperature), and V DD = 3V. Not 100% tested.
2. See Figure 27
3. The I DD current listed is typically less than 2mA/MHz, with OE# at V IH. Typical V DD is 3V.
Table 21: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
Description
Test Condition
Maximum
C I/O
1
I/O Pin Capacitance
V I/O = 0V
12 pF
C IN1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T21.0 25015
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 22: Reliability Characteristics
Symbol
N END1,2
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
100,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T22.0 25015
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
2. N END endurance rating is qualified as 100,000 cycles minimum per block.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
33
DS-25015A
04/11
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参数描述 |
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