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参数资料
| 型号： | SST39LF512-45-4C-NHE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 512KBIT 45NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | SST39(V,L)F512 Obsolescence 28/Apr/2011 |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 45ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
A Microchip Technology Company
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
Data Sheet
AC Characteristics
Table 12: Read Cycle Timing Parameters - V DD = 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040 and
2.7-3.6V for SST39VF010/020/040
SST39LF010-45
SST39VF010-70
SST39LF020-45
SST39LF040-45
SST39LF020-55
SST39LF040-55
SST39VF020-70
SST39VF040-70
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
T CLZ1
T OLZ1
T CHZ1
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
45
0
0
45
45
30
15
55
0
0
55
55
30
15
70
0
0
70
70
35
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T OHZ
1
OE# High to High-Z Output
15
15
25
ns
T OH1
Output Hold from Address Change
0
0
0
ns
T12.2 25023
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 13: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
T WPH1
T CPH1
T DS
T DH1
T IDA1
T SE
T SCE
Byte-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Chip-Erase
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
20
150
25
100
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
T13.1 25023
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
14
DS25023A
08/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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