参数资料
型号: SST39SF040-55-4I-WHE
厂商: Microchip Technology
文件页数: 17/28页
文件大小: 0K
描述: IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 32TOSP
特色产品: SST Serial and Parallel Flash Memory
标准包装: 208
系列: SST39 MPF™
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: FLASH
存储容量: 4M (512K x 8)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-TFSOP(0.488",12.40mm 宽)
供应商设备封装: 32-TSOP
包装: 托盘
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
Data Sheet
SIX-BYTE CODE FOR CHIP-ERASE
T SCE
ADDRESS A MS-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
CE#
OE#
T WP
WE#
DQ 7-0
AA
SW0
55
SW1
80
SW2
AA
SW3
55
SW4
10
SW5
1147 F17.1
Note: This device also supports CE# controlled Sector-Erase operation. The WE# and CE# signals are interchangeable
as long as minimum timings are met. (See Table 10)
SA X X = Sector Address
Toggled bit output is always high first.
A MS = Most significant address
Figure 11: WE# Controlled Chip-Erase Timing Diagram
Three-byte Sequence for
Software ID Entry
ADDRESS A 14-0
5555
2AAA
5555
0000
0001
CE#
OE#
WE#
T WP
T WPH
T IDA
T AA
DQ 7-0
AA
SW0
55
SW1
90
SW2
BF
Device ID
1147 F09.2
Note: Device ID = B5H for SST39SF010A, B6H for SST39SF020A, and B7H for SST39SF040
Figure 12: Software ID Entry and Read
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
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DS25022A
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SST39SF040-70-4C-NHE-T 功能描述:闪存 4M (512Kx8) 70ns 5.0V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39SF040-70-4C-PH 功能描述:闪存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel