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参数资料
| 型号： | SST39VF010-70-4C-B3KE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 30/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA |
| 标准包装： | 480 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
A Microchip Technology Company
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
Data Sheet
Table 14: Revision History
Number
Description
Date
01
02
?
?
2000 Data Book
Changed speed from 45 ns to 55 ns for the SST39LF020 and
Feb 2000
Aug 2000
SST39LF040
03
?
2002 Data Book: Reintroduced the 45 ns parts for the SST39LF020 and
Feb 2002
SST39LF040
04
?
?
Added the B3K package for the 2 Mbit devices
Added footnote in Table 8 to indicate I DD Write is 30 mA max for Erase
Oct 2002
operations in the Industrial temperature range.
05
?
Changes to Table 8 on page 13
Mar 2003
– Added footnote for MPF power usage and Typical conditions
– Clarified the Test Conditions for Power Supply Current and Read parameters
– Clarified I DD Write to be Program and Erase
– Corrected I DD Program and Erase from 20 mA to 30 mA
?
Part number changes - see page 24 for additional information
06
?
Added new “MM” Micro-Package MPNs for 1M and 2M LF parts- see
Oct 2003
page 24
07
08
?
?
?
?
?
?
2004 Data Book
Added non-Pb MPNs and removed footnote (See page 24)
Updated B3K and MM package diagrams
Added RoHS Compliant statement.
Added 4 MBit to Figure 4.
Revised Absolute Max Stress Ratings for Surface Mount Solder Reflow
Nov 2003
Dec 2005
Temperature
?
?
?
Removed SST39VFxxx-90 Timing Parameters from Figure 12.
Added Footnote and removed Read Access Speed 90 = 90 to Product
Ordering Information.
Removed 90 part numbers Valid Combinations lists
09
?
Edited page Valid Combinations on page 21. Changed 39LF040-70-4C-
Jan 2006
B3KE to 39LF040-45-4C-B3KE
10
11
12
13
?
?
?
?
Removed leaded parts
Added package YME
Revised “Product Ordering Information” on page 24
Changed endurance from 10,000 to 100,000 in Product Description, page
Nov 2008
Feb 2009
Apr 2009
Sep 2009
1
14
?
EOL of SST39LF010-45-4C-YME. Replacement part is SST39LF010-45-
Jan 2010
4C-MME in this document.
?
Removed all references to the YME package.
A
?
EOL of SST39LF512 and SST39VF512 parts. Replacement parts are
Aug 2011
SST39LF010 and SST39VF010.
?
?
?
Applied new document format.
Released document under letter revision system.
Updated spec number S71150 to DS25023.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
30
DS25023A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3342-2 | JACK SCREW KIT, .62" LENGTH |
| FMC17DREF-S734 | CONN EDGECARD 34POS .100 EYELET |
| 3341-17 BULK | CONN JACKSOCKET #4-40 0.35" |
| 23K256T-I/SN | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC |
| EMC65DRYS-S734 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF010-70-4C-B3KE-T | 功能描述:闪存 3.0V to 3.6V 1Mbit Multi-Prps Fl RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010704CNH | 制造商:SST 功能描述:New |
| SST39VF010-70-4C-NH | 功能描述:闪存 1M (128Kx8) 70ns Commercial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4C-NHE | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF01070-4C-NHE | 制造商:SILICON_STORAGE 功能描述: |
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