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参数资料
| 型号： | SST39VF1602-70-4C-EKE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 13/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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16 Mbit / 32 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1601 / SST39VF3201
A Microchip Technology Company
SST39VF1602 / SST39VF3202
Not Recommended for New Designs
Table 8: System Interface Information for SST39VF160x/320x
Address
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
Data
0027H
0036H
0000H
0000H
0003H
0000H
0004H
0005H
0001H
0000H
0001H
0001H
Data
V DD Min (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V DD Max (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V PP min. (00H = no V PP pin)
V PP max. (00H = no V PP pin)
Typical time out for Word-Program 2 N μs (2 3 = 8 μs)
Typical time out for min. size buffer program 2 N μs (00H = not supported)
Typical time out for individual Sector/Block-Erase 2 N ms (2 4 = 16 ms)
Typical time out for Chip-Erase 2 N ms (2 5 = 32 ms)
Maximum time out for Word-Program 2 N times typical (2 1 x 2 3 = 16 μs)
Maximum time out for buffer program 2 N times typical
Maximum time out for individual Sector/Block-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 4 = 32
ms)
Maximum time out for Chip-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 5 = 64 ms)
T8.3 25028
Table 9: Device Geometry Information for SST39VF1601/1602
Address
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
Data
0015H
0001H
0000H
0000H
0000H
0002H
00FFH
0001H
0010H
0000H
001FH
0000H
0000H
0001H
Data
Device size = 2 N Bytes (15H = 21; 2 21 = 2 MByte)
Flash Device Interface description; 0001H = x16-only asynchronous interface
Maximum number of byte in multi-byte write = 2 N (00H = not supported)
Number of Erase Sector/Block sizes supported by device
Sector Information (y + 1 = Number of sectors; z x 256B = sector size)
y = 511 + 1 = 512 sectors (01FF = 511
z = 16 x 256 Bytes = 4 KByte/sector (0010H = 16)
Block Information (y + 1 = Number of blocks; z x 256B = block size)
y = 31 + 1 = 32 blocks (001F = 31)
z = 256 x 256 Bytes = 64 KByte/block (0100H = 256)
T9.0 25028
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
13
DS25028A
08/11
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参数描述 |
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| SST39VF1602-70-4I-EK | 功能描述:闪存 1M X 16 FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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| SST39VF1602-70-4I-EKE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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