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参数资料
型号： SST39VF512-70-4I-NHE-T
厂商： Microchip Technology
文件页数： 1/31页
文件大小： 0K
描述： IC MEM MPF 512MBIT FLASH 32PLCC
产品变化通告： SST39(V,L)F512 Obsolescence 28/Apr/2011
标准包装： 750
系列： SST39 MPF™
格式 - 存储器： 闪存
存储器类型： FLASH
存储容量： 512K (64K x 8)
速度： 70ns
接口： 并联
电源电压： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 32-LCC（J 形引线）
供应商设备封装： 32-PLCC
包装： 带卷 (TR)
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
A Microchip Technology Company
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
Data Sheet
The SST39LF010, SST39LF020, SST39LF040 and SST39VF010, SST39VF020,
SST39VF040 are 128K x8, 256K x8 and 5124K x8 CMOS Multi-Purpose Flash
(MPF) manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash
technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain bet-
ter reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The
SST39LF010/020/040 devices write (Program or Erase) with a 3.0-3.6V power
supply. The SST39VF010/020/040 devices write with a 2.7-3.6V power supply.
The devices conform to JEDEC standard pinouts for x8 memories.
Features
? Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8
? Single Voltage Read and Write Operations
– 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040
– 2.7-3.6V for SST39VF010/020/040
? Superior Reliability
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)
– Greater than 100 years Data Retention
? Low Power Consumption
(typical values at 14 MHz)
– Active Current: 5 mA (typical)
– Standby Current: 1 μA (typical)
? Sector-Erase Capability
– Uniform 4 KByte sectors
? Fast Read Access Time:
– 45 ns for SST39LF010/020/040
– 55 ns for SST39LF020/040
– 70 ns for SST39VF010/020/040
? Latched Address and Data
? Fast Erase and Byte-Program:
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)
– Byte-Program Time: 14 μs (typical)
– Chip Rewrite Time:
2 seconds (typical) for SST39LF/VF010
4 seconds (typical) for SST39LF/VF020
8 seconds (typical) for SST39LF/VF040
? Automatic Write Timing
– Internal V PP Generation
? End-of-Write Detection
– Toggle Bit
– Data# Polling
? CMOS I/O Compatibility
? JEDEC Standard
– Flash EEPROM Pinouts and command sets
? Packages Available
– 32-lead PLCC
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)
– 34-ball WFBGA (4mm x 6mm) for 1M and 2M
? All devices are RoHS compliant
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
www.microchip.com
DS25023A
08/11
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PDF描述
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参数描述
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SST39VF512-70-4I-WHE 功能描述:闪存 64K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF512-70-4I-WHE-T 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 512Kbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF512-90-4C-NH 功能描述:闪存 U 804-39VF5127CNH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF512-90-4C-WH 功能描述:闪存 U 804-39VF5127CWH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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