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参数资料
型号： SST39VF801C-70-4C-B3KE-T
厂商： Microchip Technology
文件页数： 1/38页
文件大小： 0K
描述： IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48TFBGA
标准包装： 2,500
系列： SST39 MPF™
格式 - 存储器： 闪存
存储器类型： FLASH
存储容量： 8M（512K x 16）
速度： 70ns
接口： 并联
电源电压： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 48-TFBGA
供应商设备封装： 48-TFBGA（6x8）
包装： 带卷 (TR)
8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF801C / SST39VF802C / SST39LF801C / SST39LF802C
Data Sheet
The SST39VF801C / SST39VF802C / SST39LF801C / SST39LF802C are 512K
x16 CMOS Multi-Purpose Flash Plus (MPF+) manufactured with SST proprietary,
high performance CMOS SuperFlash? technology. The split-gate cell design and
thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability com-
pared with alternate approaches. The SST39VF801C / SST39VF802C /
SST39LF801C / SST39LF802C write (Program or Erase) with a 2.7-3.6V power
supply. These devices conforms to JEDEC standard pinouts for x16 memories.
Features
? Organized as 512K x16
? Single Voltage Read and Write Operations
– 2.7-3.6V for SST39VF801C/802C
– 3.0-3.6V for SST39LF801C/802C
? Superior Reliability
– Endurance: 100,000 Cycles (Typical)
– Greater than 100 years Data Retention
? Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)
– Active Current: 5 mA (typical)
– Standby Current: 3 μA (typical)
– Auto Low Power Mode: 3 μA (typical)
? Hardware Block-Protection/WP# Input Pin
– Top Block-Protection (top 8 KWord)
– Bottom Block-Protection (bottom 8 KWord)
? Sector-Erase Capability
– Uniform 2 KWord sectors
? Block-Erase Capability
– Flexible block architecture; one 8-, two 4-, one 16-, and
fifteen 32-KWord blocks
? Chip-Erase Capability
? Erase-Suspend/Erase-Resume Capabilities
? Hardware Reset Pin (RST#)
? Latched Address and Data
? Security-ID Feature
– SST: 128 bits; User: 128 words
? Fast Read Access Time:
– 70 ns for SST39VF801C/802C
– 55 ns for SST39LF801C/802C
? Fast Erase and Word-Program:
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)
– Block-Erase Time: 18 ms (typical)
– Chip-Erase Time: 40 ms (typical)
– Word-Program Time: 7 μs (typical)
? Automatic Write Timing
– Internal V PP Generation
? End-of-Write Detection
– Toggle Bits
– Data# Polling
– Ready/Busy# Pin
? CMOS I/O Compatibility
? JEDEC Standard
– Flash EEPROM Pinouts and command sets
? Packages Available
– 48-lead TSOP (12mm x 20mm)
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)
– 48-ball WFBGA (4mm x 6mm)
? All devices are RoHS compliant
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
www.microchip.com
DS25041A
05/11
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PDF描述
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参数描述
SST39VF801C-70-4C-EKE 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF801C-70-4C-EKE-T 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF801C-70-4C-MAQE 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF801C-70-4C-MAQE-T 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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