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参数资料
| 型号： | SST39VF801C-70-4I-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 23/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（512K x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF801C / SST39VF802C / SST39LF801C / SST39LF802C
Data Sheet
SIX-BYTE CODE FOR BLOCK-ERASE
T BE
ADDRESSES
555
2AA
555
555
2AA
BA X
CE#
OE#
T WP
WE#
RY/BY#
T BY
T BR
DQ 15-0
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX30
VALID
1434 F32.0
Note: This device also supports CE# controlled Block-Erase operation. The WE# and CE# signals are inter-
changeable as long as minimum timings are met. (See Table 18).
BA X = Block Address
WP# must be held in proper logic state (V IL or V IH ) 1μs prior to and 1μs after the command sequence.
X can be V IL or V IH , but no other value.
Figure 12: WE# Controlled Block-Erase Timing Diagram
SIX-BYTE CODE FOR SECTOR-ERASE
T SE
ADDRESSES
555
2AA
555
555
2AA
SA X
CE#
OE#
T WP
WE#
RY/BY#
T BY
T BR
DQ 15-0
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX50
VALID
1434 F28.0
Note: This device also supports CE# controlled Sector-Erase operation. The WE# and CE# signals are inter-
changeable as long as minimum timings are met. (See Table 18).
SA X = Block Address
WP# must be held in proper logic state (V IL or V IH ) 1μs prior to and 1μs after the command sequence.
X can be V IL or V IH , but no other value.
Figure 13: WE# Controlled Sector-Erase Timing Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
23
DS25041A
05/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SST39VF801C-70-4I-EKE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF801C-70-4I-MAQE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF801C-70-4I-MAQE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF802C-70-4C-B3KE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF802C-70-4C-B3KE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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