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参数资料
| 型号： | SST39WF1601-70-4C-MAQE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MEM MPF 16MBIT FLASH 48WFBGA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-WFBGA（6x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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16 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39WF1601 / SST39WF1602
Data Sheet
Table 12: DC Operating Characteristics V DD = 1.65-1.95V 1
Limits
Symbol Parameter
I DD
Power Supply Current
Min
Max
Units
Test Conditions
Address input=V ILT /V IHT, at f=5 MHz,
V DD =V DD Max
Read
10
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH , all I/Os
open
Program and Erase
25
mA
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
I SB
I ALP
Standby V DD Current 2
Auto Low Power
40
40
μA
μA
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
CE#=V ILC , V DD =V DD Max
All inputs=V SS or V DD, WE#=V IHC
I LI
I LIW
Input Leakage Current
Input Leakage Current
1
10
μA
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
WP#=GND to V DD or RST#=GND to
on WP# pin and RST#
V DD
I LO
V IL
V IH
V OL
V OH
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.8V DD
V DD -0.1
1
0.2V DD
0.1
μA
V
V
V
V
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T12.0 25014
1. Typical conditions for the Active Current shown on the front page of the data sheet are average values at 25°C
(room temperature), and V DD = 1.8V. Not 100% tested.
2. For all SST39WF160x commercial and industrial devices, I SB typical is under 5 μA.
Table 13: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
T PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Program/Erase Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
T13.0 25014
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 14: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C I/O1
Description
I/O Pin Capacitance
Test Condition
V I/O = 0V
Maximum
12 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T14.0 25014
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 15: Reliability Characteristics
Symbol
N END1,2
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T15.0 25014
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
2. N END endurance rating is qualified as a 10,000 cycle minimum for the whole device. A sector- or block-level rating would
result in a higher minimum specification.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
16
DS-25014A
04/11
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PDF描述 |
|---|---|
| SST39WF1601-70-4C-MAQE | IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48WFBGA |
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参数描述 |
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| SST39WF1601-70-4I-B3KE | 功能描述:闪存 16M (1Mx16) 70ns 1.65-1.95V Indust RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF1601-70-4I-B3KE-T | 功能描述:闪存 1.65V to 1.95V 16mb Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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