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参数资料
| 型号： | SST39WF1602-70-4I-MAQE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 17/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MEM MPF 16MBIT FLASH 48WFBGA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-WFBGA（6x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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16 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39WF1601 / SST39WF1602
Data Sheet
AC Characteristics
Table 16: Read Cycle Timing Parameters V DD = 1.65-1.95V
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
70
70
70
35
ns
ns
ns
ns
T CLZ
1
CE# Low to Active Output
0
ns
T OLZ1
T CHZ1
T OHZ1
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
0
40
40
ns
ns
ns
T OH
1
Output Hold from Address Change
0
ns
T RP1
T RHR1
T RY1,2
RST# Pulse Width
RST# High before Read
RST# Pin Low to Read Mode
500
50
20 3
ns
ns
μs
T16.0 25014
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
3. This parameter is 100 μs if reset after an Erase operation.
Table 17: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
T WPH1
T CPH1
T DS
T DH1
T IDA1
T SE
T BE
T SCE
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
0
50
0
0
0
10
50
50
30
30
50
0
40
150
50
50
200
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
T17.0 25014
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
17
DS-25014A
04/11
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