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参数资料
| 型号： | SST39WF400B-70-4C-MAQE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 48WFBGA |
| 标准包装： | 740 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-WFBGA（6x4） |
| 包装： | 托盘 |
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4 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39WF400B
Data Sheet
Table 5: CFI Query Identification String 1 for SST39WF400B
Address
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
Data
0051H
0052H
0059H
0001H
0007H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
Data
Query Unique ASCII string “QRY”
Primary OEM command set
Address for Primary Extended Table
Alternate OEM command set (00H = none exists)
Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)
T5.0 25034
1. Refer to CFI publication 100 for more details.
Table 6: System Interface Information for SST39WF400B
Address
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
Data
0016H
0020H
0000H
0000H
0005H
0000H
0005H
0007H
0001H
0000H
0001H
0001H
Data
V DD Min (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V DD Max (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V PP min (00H = no V PP pin)
V PP max (00H = no V PP pin)
Typical time out for Word-Program 2 N μs (2 5 = 32 μs)
Typical time out for min size buffer program 2 N μs (00H = not
supported)
Typical time out for individual Sector/Block-Erase 2 N ms (2 5 = 32
ms)
Typical time out for Chip-Erase 2 N ms (2 7 = 128 ms)
Maximum time out for Word-Program 2 N times typical (2 1 x 2 5 =
64 μs)
Maximum time out for buffer program 2 N times typical
Maximum time out for individual Sector/Block-Erase 2 N times
typical (2 1 x 2 5 = 64 ms)
Maximum time out for Chip-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 7 = 256
ms)
T6.0 25034
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
12
DS25034A
09/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SST39WF400B-70-4C-Y1QE | 功能描述:闪存 4M (256Kx16) 70ns 1.8V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF400B-70-4I-B3KE | 功能描述:闪存 4M (256Kx16) 70ns Industrial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF400B-70-4I-B3KE-T | 功能描述:闪存 1.65 to 1.95V 4Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF400B-70-4I-D1QE | 功能描述:闪存 4M (256Kx16) 70ns Industrial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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