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参数资料
| 型号： | SST39WF800B-70-4I-B3KE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 8MBIT 70NS 48TFBGA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（512K x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39WF800B
Data Sheet
Power-Up Specifications
All functionalities and DC specifications are specified for a V DD ramp rate faster than 1V per 100 ms
(0V to 1.8V in less than 180 ms). In addition, a V DD ramp rate slower than 1V per 20 μs is recom-
mended. See Table 10 and Figure 4 for more information.
Table 10: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
100
μs
T10.0 25031
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
T PU-READ
V DD
V DD min
0V
CE#
1344 F37.1
Figure 4: Power-Up Reset Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
14
DS25031A
08/11
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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