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参数资料
| 型号： | SST502T-E3 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 稳流二极管 |
| 英文描述： | 0.43 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236 |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | SST502T-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST507T-E3 | 1.8 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236 |
| SST511T-E3 | 4.7 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236 |
| SST508TT1-E3 | 2.4 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| SST506T-E3 | 1.4 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236 |
| SST505TT1 | 1 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST503 | 功能描述:稳流二极管 0.56mA Current Reg RoHS:否 制造商:Central Semiconductor 最大调节器电流:5.17 mA 最大极限电压:2.9 V 最大峰值工作电压:100 V 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-204AH 封装: |
| SST503_SOT-23 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:Current Regulator Diode |
| SST503-E3 | 功能描述:稳流二极管 0.56mA Current Reg RoHS:否 制造商:Central Semiconductor 最大调节器电流:5.17 mA 最大极限电压:2.9 V 最大峰值工作电压:100 V 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-204AH 封装: |
| SST503-T1 | 功能描述:稳流二极管 0.56mA Current Reg RoHS:否 制造商:Central Semiconductor 最大调节器电流:5.17 mA 最大极限电压:2.9 V 最大峰值工作电压:100 V 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-204AH 封装: |
| SST503-T1-E3 | 功能描述:稳流二极管 0.56mA Current Reg RoHS:否 制造商:Central Semiconductor 最大调节器电流:5.17 mA 最大极限电压:2.9 V 最大峰值工作电压:100 V 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-204AH 封装: |
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