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参数资料
| 型号： | SST5210T216 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD, SST, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | SST5210T216 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDT1621 | 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| SFN030 | 14 A, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| SSTA70T216 | 200 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| SDT5552 | 2 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| SDT5556 | 2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST5424 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
| SST5457 | 制造商:Calogic LLC 功能描述: |
| SST5460 | 功能描述:JFET 55V 1mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| SST5460-E3 | 功能描述:JFET 55V 1mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| SST5460-T1 | 功能描述:JFET 55V 1mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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