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参数资料
| 型号： | SSTDPAD5Y |
| 厂商： | TEMIC SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | SSTDPAD5Y |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM2Z5V1 | 5.1 V, 2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| SMBJ10CA-TR | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ22CA-TR | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ58CA-TR | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ5301 | RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSTE | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIERS |
| SSTE18W | 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT; External Height - Metric:32mm ;RoHS Compliant: NA |
| SSTE24W | 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT |
| SSTE32882HLBAKG | 功能描述:寄存器 DDR3 LV REGISTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTE32882HLBAKG8 | 功能描述:寄存器 DDR3 LV REGISTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
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