- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31357 > SSTDPAD5YT1-E3 (VISHAY SILICONIX) 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SSTDPAD5YT1-E3 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | SSTDPAD5YT1-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSTPAD10-SOT-23 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| JPAD1-TO-92 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92 |
| JPAD10-TO-92 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92 |
| SSTPAD20-SOT-23 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SSTPAD5TT2 | SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSTE | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIERS |
| SSTE18W | 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT; External Height - Metric:32mm ;RoHS Compliant: NA |
| SSTE24W | 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT |
| SSTE32882HLBAKG | 功能描述:寄存器 DDR3 LV REGISTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTE32882HLBAKG8 | 功能描述:寄存器 DDR3 LV REGISTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。