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参数资料
| 型号： | SSTVA16859BKLF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER DDR 13-26BIT 56VFQFPN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Dec/2011 |
| 标准包装： | 260 |
| 逻辑类型： | 13 位至 26 位寄存缓冲器，DDR |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 位数： | 13，26 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 56-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 56-VFQFP-EP（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
2006 Integrated Device Technology, Inc. All rights reserved. Product specifications subject to change without notice. IDT and the IDT logo are trademarks of Integrated Device
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DDR 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSTVA16859BKLFT | 功能描述:IC BUFFER DDR 13-26BIT 56VFQFPN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 专用逻辑 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 标准包装:1,500 系列:74SSTV 逻辑类型:DDR 的寄存缓冲器 电源电压:2.3 V ~ 2.7 V 位数:14 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） 供应商设备封装:48-TSSOP 包装:带卷 (TR) |
| SSTVA16859CGLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTVA16859CGLFT | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTVA16859CKLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTVA16859CKLF/W | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:NON-JEDEC PIN 1 ORIENTATION - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDTSSTVA16859CKLF/W IC BUFFER 56MLF |
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