参数资料
型号: SSTVA16859BKLFT
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/11页
文件大小: 0K
描述: IC BUFFER DDR 13-26BIT 56VFQFPN
产品变化通告: Product Discontinuation 09/Dec/2011
标准包装: 1,000
逻辑类型: 13 位至 26 位寄存缓冲器,DDR
电源电压: 2.3 V ~ 2.7 V
位数: 13,26
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 56-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 56-VFQFP-EP(8x8)
包装: 带卷 (TR)
Integrated
Circuit
Systems, Inc.
ICSSSTVA16859B
Recommended Applications:
DDR Memory Modules:
- DDRI (PC1600, PC2100)
- DDR333 (PC2700)
- DDRI-400 (PC3200)
Provides complete DDR DIMM solution with
ICS93V857 or ICS95V857
SSTL_2 compatible data registers
Product Features:
Differential clock signals
Meets SSTL_2 signal data
Supports SSTL_2 class I specifications on outputs
Low-voltage operation
- VDD = 2.3V to 2.7V
Available in 64 pin TSSOP and 56 pin MLF packages
Exceeds SSTVN16859 performance
DDR 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer
Truth Table
1
Block Diagram
Notes:
1.
H = "High" Signal Level
L = "Low" Signal Level
↑ = Transition "Low"-to-"High"
↓ = Transition "High"-to-"Low"
X = Don't Care
2.
Output level before the indicated steady state
input conditions were established.
s
t
u
p
n
Is
t
u
p
t
u
O
Q
#
T
E
S
E
RK
L
C#
K
L
CD
Q
L
r
o
X
g
n
i
t
a
o
l
F
r
o
X
g
n
i
t
a
o
l
F
r
o
X
g
n
i
t
a
o
l
F
L
H
↑↓
HH
H
↑↓
LL
HH
r
o
LH
r
o
LX
Q0 )
2
(
CLK
CLK#
D1
VREF
RESET#
To 12 Other Channels
Q1A
Q1B
CLK
R
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q13A
Q12A
Q11A
Q10A
Q9A
VDDQ
GND
Q8A
Q7A
Q6A
Q5A
Q4A
Q3A
Q2A
GND
Q1A
Q13B
VDDQ
Q12B
Q11B
Q10B
Q9B
Q8B
Q7B
Q6B
GND
VDDQ
Q5B
Q4B
Q3B
Q2B
Q1B
VDDQ
GND
D13
D12
VDD
VDDQ
GND
D11
D10
D9
GND
D8
D7
RESET#
GND
CLK#
CLK
VDDQ
VDD
VREF
D6
GND
D5
D4
D3
GND
VDDQ
VDD
D2
D1
GND
VDDQ
IC
SSSTVA
16859B
Pin Configurations
64-Pin TSSOP
6.10 mm. Body, 0.50 mm. pitch
Q7A
Q6A
Q5A
Q4A
Q3A
Q2A
Q1A
Q13B
VDDQ
Q12B
Q11B
Q10B
Q9B
Q8B
1
14
15
28
29
43
42
56
D10
D9
D8
D7
RESET#
GND
CLK#
CLK
VDDQ
VDD
VREF
D6
D5
D4
Q8A
V
DDQ
Q9A
Q10A
Q11A
Q12A
Q13A
V
DDQ
GND
D13
D12
VD
D
V
DDQ
D11
Q7B
Q6B
V
DDQ
Q5B
Q4B
Q3B
Q2B
Q1B
V
DDQ
D1
D2
VD
D
V
DDQ
D3
ICSSSTVA16859B
56-Pin VFQFN (MLF2)
DATA SHEET
ICSSSTVA16859B
IDT / ICS DDR 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer
ICSSSTVA16859B
1
DDR 13-Bit to 26-Bit Registered
Buffer
相关PDF资料
PDF描述
STK404-120N-E IC HYBRID MOD AUD PWR AMP AB 1CH
STK404-140N-E IC HYBRID MOD AUD PWR AMP AB 1CH
STK433-040N-E IC HYBRID MOD AUD PWR AMP AB 2CH
STK433-130N-E IC HYBRID MOD AUD PWR AMP AB 2CH
SX8652IWLTRT IC TOUCH SCREEN CTRLR 14DFN
相关代理商/技术参数
参数描述
SSTVA16859CGLF 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube
SSTVA16859CGLFT 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube
SSTVA16859CKLF 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube
SSTVA16859CKLF/W 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:NON-JEDEC PIN 1 ORIENTATION - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDTSSTVA16859CKLF/W IC BUFFER 56MLF
SSTVA16859CKLFT 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube