| 型号: | SSTVA16859BKLFT |
| 厂商: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数: | 1/11页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | IC BUFFER DDR 13-26BIT 56VFQFPN |
| 产品变化通告: | Product Discontinuation 09/Dec/2011 |
| 标准包装: | 1,000 |
| 逻辑类型: | 13 位至 26 位寄存缓冲器,DDR |
| 电源电压: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 位数: | 13,26 |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 56-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装: | 56-VFQFP-EP(8x8) |
| 包装: | 带卷 (TR) |

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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSTVA16859CGLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTVA16859CGLFT | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTVA16859CKLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTVA16859CKLF/W | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:NON-JEDEC PIN 1 ORIENTATION - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDTSSTVA16859CKLF/W IC BUFFER 56MLF |
| SSTVA16859CKLFT | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |