型号: | ST083S08PFM2 |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 135 A, 800 V, SCR, TO-208AD |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 302K |
代理商: | ST083S08PFM2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ST333S04PFM0 | 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE |
ST333S04PFM1 | 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE |
ST333S08PFM0 | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
ST333S08PFM1 | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
ST083S10PCL1 | 135 A, 1000 V, SCR, TO-209AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ST083S08PFN0 | 功能描述:SCR 800 Volt 85 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
ST083S08PFN1 | 功能描述:SCR 800 Volt 85 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
ST083S08PFN2 | 功能描述:SCR 135 Amp 800 Volt 135 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
ST083S08PFNO | 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor |
ST083S10PFK0 | 功能描述:SCR 1000 Volt 85 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |