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参数资料
| 型号： | ST1230C10K0PBF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 2310 A, 1000 V, SCR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | ST1230C10K0PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST1230C08K1PBF | 3200 A, 800 V, SCR |
| ST1230C08K1LPBF | 3200 A, 800 V, SCR |
| ST1230C08K2PBF | 3200 A, 800 V, SCR |
| ST1230C08K2LPBF | 3200 A, 800 V, SCR |
| ST1230C08K3PBF | 3200 A, 800 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ST1230C12K0 | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 1645 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| ST1230C12K0L | 功能描述:SCR模块 1745 Amp 1200 Volt 3200 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| ST1230C12K0LP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Phase Control Thyristors (Hockey PUK Version), 1745 A |
| ST1230C12K0P | 功能描述:SCR模块 1745 Amp 1200 Volt 3200 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| ST1230C12K1 | 功能描述:SCR模块 1745 Amp 1200 Volt 3200 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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