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参数资料
| 型号： | ST183C08CHK2PBF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB |
| 封装： | METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | ST183C08CHK2PBF |
ST183C..C Series
2
www.irf.com
Bulletin I25178 rev. B 04/00
ST183C..C
40
Voltage
V
DRM
/V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum
I
DRM
/I
RRM
max.
Type number
Code
repetitive peak voltage
non-repetitive peak voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Frequency
Units
50Hz
770
660
1220
1160
5450
4960
400Hz
730
600
1270
1090
2760
2420
1000Hz
600
490
1210
1040
1600
1370
A
2500Hz
350
270
860
730
800
680
Recovery voltage Vr
50
Voltage before turn-on Vd
V
DRM
V
DRM
V
DRM
Rise of on-state current di/dt
50
-
A/
s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
47
/ 0.22F
47
/ 0.22F
47
/ 0.22F
I
TM
180oel
100
s
I
TM
I
TM
Current Carrying Capability
V
I
T(AV)
Max. average on-state current
370 (130)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (85)
°C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
690
DC@ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
TSM
Max. peak, one half cycle,
4900
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
5130
A
t = 8.3ms
reapplied
4120
t = 10ms
100% V
RRM
4310
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
120
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max
110
t = 8.3ms
reapplied
85
t = 10ms
100% V
RRM
78
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
1200
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Parameter
ST183C..C
Units
Conditions
On-state Conduction
KA2s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST183C08CHP0LPBF | 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB |
| ST183S02MFL0PBF | 306 A, 200 V, SCR, TO-209AB |
| ST183S04MCK0LPBF | 306 A, 400 V, SCR, TO-209AB |
| ST183S04PCP0PBF | 306 A, 400 V, SCR, TO-209AB |
| ST183S04PDP1PBF | 306 A, 400 V, SCR, TO-209AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ST183S04PFL0 | 功能描述:SCR 400 Volt 195 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| ST183S04PFL1 | 功能描述:SCR 195 Amp 400 Volt 306 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| ST183S08PFL0 | 功能描述:SCR 800 Volt 195 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| ST183S08PFL1 | 功能描述:SCR 195 Amp 800 Volt 306 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| ST183S08PFN0 | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
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