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参数资料
| 型号： | ST203C10CDJ3LPBF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 700 A, 1000 V, SCR, TO-200AB |
| 封装： | METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | ST203C10CDJ3LPBF |
ST203C..C Series
8
Bulletin I25176 rev. B 04/00
www.irf.com
Fig. 14 - Frequency Characteristics
Fig. 15 - Frequency Characteristics
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1 E 11 E 2
1 E 31 E 4
50 H z
400
2500
100
Pu lse B ase w id th ( s)
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
10 00
1 500
30 00
200
50 0
5000
Snubbe r c ircuit
R
= 4 7 ohm s
C
= 0 .22 F
V
= 8 0% V
s
D
DRM
ST20 3C. .C Serie s
Sin uso id a l p ulse
T
= 40 °C
d i/d t = 1 00A /s
C
tp
10 00 0
1E 4
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1 E 11 E 2
1 E 31 E 4
50 H z
400
100
1000
1 500
20 0
500
Snub b er c ircu it
R
= 22 ohm s
C
= 0 .15 F
V
= 80 % V
s
D
DR M
Pu lse B a se w idt h ( s)
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
25 00
3000
5000
ST020 3C ..C Se ries
Tra p ezo id a l p uls e
T
= 40 °C
di/d t = 50 A/s
C
10 00 0
tp
1E 4
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1E 5
1 E 1
1 E2
1 E 3
1 E4
Pu lse B a se w id t h ( s)
20 jo ules pe r puls e
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
10
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
ST20 3C ..C Se ries
Sin uso id a l p uls e
4
tp
1E 4
Fig. 16 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
50 H z
40 0
2500
100
P u lse B a se w id th ( s)
1000
150 0
200
500
ST2 03 C..C Serie s
Tra p ezo id a l p uls e
T
= 5 5°C
d i/d t = 50A /s
C
Snub b er circuit
R
= 47 o hm s
C
= 0.22 F
V
= 80 % V
s
D
DRM
3000
tp
5000
10 00 0
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
50 H z
40 0
2500
100
Pu lse B ase w id th ( s)
100 0
1500
20 0
50 0
ST203 C.. C Serie s
Tra p ezo id a l p ulse
T
= 5 5°C
d i/d t = 10 0A/s
C
Sn ubbe r circ uit
R
= 4 7 o hm s
C
= 0 .22 F
V
= 8 0% V
s
D
DRM
30 00
tp
5 000
10000
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
P u lse B a se w id t h ( s)
2 0 jou le s pe r puls e
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
ST2 03 C..C Series
Rec ta ng ula r p uls e
d i/d t = 50A /s
10
5
tp
3
1E 1
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