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参数资料
| 型号： | ST223C04CFL1L |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 745 A, 400 V, SCR, TO-200AB |
| 封装： | METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | ST223C04CFL1L |
ST223C..C Series
2
www.irf.com
Bulletin I25174 rev. B 04/00
Voltage
V
DRM
/V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum
I
DRM
/I
RRM
max.
Type number
Code
repetitive peak voltage
non-repetitive peak voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
ST223C..C
40
Frequency
Units
50Hz
930
800
1430
1220
5870
5240
400Hz
910
770
1490
1300
3120
2740
1000Hz
780
650
1430
1260
1880
1640
A
2500Hz
490
400
1070
920
1000
860
Recovery voltage Vr
50
Voltage before turn-on Vd
V
DRM
V
DRM
V
DRM
Rise of on-state current di/dt
50
-
A/
s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
47
/ 0.22F
47
/ 0.22F
47
/ 0.22F
I
TM
180oel
100
s
I
TM
I
TM
Current Carrying Capability
V
I
T(AV)
Max. average on-state current
390 (150)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (85)
°C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
745
DC @ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
TSM
Max. peak, one half cycle,
5850
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
6130
A
t = 8.3ms
reapplied
4920
t = 10ms
100% V
RRM
5150
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
171
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max
156
t = 8.3ms
reapplied
121
t = 10ms
100% V
RRM
110
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
1710
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Parameter
ST223C..C
Units
Conditions
On-state Conduction
KA2s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST223C04CFL2 | 745 A, 400 V, SCR, TO-200AB |
| ST223C08CFL0L | 745 A, 800 V, SCR, TO-200AB |
| ST223C08CFN1L | 745 A, 800 V, SCR, TO-200AB |
| ST173C12CCK1LPBF | 610 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
| ST333S08MFJ0LPBF | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ST223C04CFNO | 制造商:n/a 功能描述:SCR |
| ST223C06CFNO | 制造商:n/a 功能描述:SCR |
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