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参数资料
型号： ST303C04CDL3LPBF
元件分类： 晶闸管
英文描述： 1180 A, 400 V, SCR, TO-200AB
封装： METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
代理商： ST303C04CDL3LPBF
ST303C..C Series
2
www.irf.com
Bulletin I25172 rev. B 04/00
Voltage
V
DRM
/V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum
I
DRM
/I
RRM
max.
Type number
Code
repetitive peak voltage
non-repetitive peak voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
10
1000
1100
12
1200
1300
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Frequency
Units
50Hz
1314
1130
2070
1940
6930
6270
400Hz
1260
1040
2190
1880
3440
2960
1000Hz
900
700
1900
1590
1850
1540
A
2500Hz
340
230
910
710
740
560
Recovery voltage Vr
50
Voltage before turn-on Vd
V
DRM
V
DRM
V
DRM
Rise of on-state current di/dt
50
-
A/
s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
10
/ 0.47F
10
/ 0.47F
10
/ 0.47F
I
TM
180oel
100
s
I
TM
I
TM
Current Carrying Capability
V
ST303C..C
50
I
T(AV)
Max. average on-state current
620 (230)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (85)
°C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
1180
DC @ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
TSM
Max. peak, one half cycle,
7950
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
8320
A
t = 8.3ms
reapplied
6690
t = 10ms
100% V
RRM
7000
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
316
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max
289
t = 8.3ms
reapplied
224
t = 10ms
100% V
RRM
204
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
3160
KA2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Parameter
ST303C..C
Units
Conditions
On-state Conduction
KA2s
相关PDF资料
PDF描述
ST303C04CDM0PBF 1180 A, 400 V, SCR, TO-200AB
ST333C08LEK3 1230 A, 800 V, SCR, TO-200AC
ST333C08LFK0L 1230 A, 800 V, SCR, TO-200AC
ST333C08LFK0 1230 A, 800 V, SCR, TO-200AC
ST333C08LFK1L 1230 A, 800 V, SCR, TO-200AC
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参数描述
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