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参数资料
型号： ST303C08LHK1LPBF
元件分类： 晶闸管
英文描述： 995 A, 800 V, SCR, TO-200AC
封装： METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, BPUK-3
文件页数： 2/9页
文件大小： 173K
代理商： ST303C08LHK1LPBF
ST303C..L Series
2
www.irf.com
Bulletin I25186 rev. B 04/00
Voltage
V
DRM
/V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum
I
DRM
/I
RRM
max.
Type number
Code
repetitive peak voltage
non-repetitive peak voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
10
1000
1100
12
1200
1300
Frequency
Units
50Hz
1130
950
1800
1540
5660
4990
400Hz
1010
820
1850
1570
2830
2420
1000Hz
680
530
1560
1300
1490
1220
2500Hz
230
140
690
510
540
390
Recovery voltage Vr
50
Voltage before turn-on Vd
VDRM
Rise of on-state current di/dt
50
-
A/
s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
10
/ 0.47F
10
/ 0.47F
10
/ 0.47F
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
T(AV)
Max. average on-state current
515 (190)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (85)
°C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
995
DC @ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
TSM
Max. peak, one half cycle,
7950
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
8320
A
t = 8.3ms
reapplied
6690
t = 10ms
100% V
RRM
7000
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
316
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max
289
t = 8.3ms
reapplied
224
t = 10ms
100% V
RRM
204
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
3160
KA2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Parameter
ST303C..L
Units
Conditions
On-state Conduction
KA2s
I
TM
180oel
100
s
I
TM
I
TM
Current Carrying Capability
V
A
ST303C..L
50
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PDF描述
ST303C12LFH3LPBF 995 A, 1200 V, SCR, TO-200AC
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