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参数资料
| 型号： | ST303C12CDH3LPBF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
| 封装： | METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | ST303C12CDH3LPBF |
ST303C..C Series
8
www.irf.com
Bulletin I25172 rev. B 04/00
Fig. 14 - Frequency Characteristics
Fig. 15 - Frequency Characteristics
Fig. 16 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
1E 2
1E 3
1E 4
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
50 H z
40 0
2500
100
1000
1500
2000
30 00
20 0
500
P u lse Ba se w id t h ( s)
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Snub b e r c irc uit
R
= 1 0 o hm s
C
= 0.47 F
V
= 8 0% V
s
D
DRM
ST3 03C ..C Serie s
Tra p e zo id a l p ulse
T
= 40 °C
d i/d t = 100 A/s
C
tp
1E 4
1E 2
1E 3
1E 4
1E 1
1 E 2
1 E 3
1 E 4
50 H z
400
2500
100
100 0
1500
2000
3000
20 0
50 0
Pulse B a se w id th ( s)
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rre
n
t(
A
)
Snub b er circuit
R
= 10 o hm s
C
= 0.4 7 F
V
= 80 % V
s
D
DRM
ST303 C. .C Se ries
Tra p ezo id a l p uls e
T
= 40 °C
di/d t = 50 A/s
C
tp
1E 4
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
50 H z
400
2500
100
Pu lse B a se w id th ( s)
1000
1500
20 00
200
500
ST30 3C ..C Se rie s
Tra p e zoid a l p ulse
T
= 55°C
d i/d t = 100A/s
C
Snubbe r circuit
R
= 1 0 o hm s
C
= 0.47 F
V
= 80 % V
s
D
DR M
tp
3000
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
50 H z
40 0
2500
100
Pulse Ba se w id th ( s)
1000
1500
2000
20 0
500
ST303 C. .C Se ries
Tra p ezo id a l p uls e
T
= 5 5°C
di/d t = 5 0A / s
C
Snu bbe r c irc uit
R
= 1 0 o hm s
C
= 0 .47 F
V
= 8 0% V
s
D
DRM
30 00
1E 1
tp
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1E 5
1E 1
1 E 2
1 E 3
1 E 4
P ulse Ba se w id th ( s)
20 jo ules p er p ulse
2
1
0. 5
10
5
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
3
ST3 03C ..C Serie s
Sinus oid a l p ulse
0.4
tp
1E 4 1 E 1
1 E2
1 E 3
1 E4
P u lse B a se w id th ( s)
2 0 jo ule s p e r p uls e
2
1
0.5
ST30 3C. .C Se ries
Re cta ngu la r p u ls e
di/d t = 50 A/s
10
5
3
0.4
tp
1E 1
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| ST303C12CFK0L | 功能描述:SCR模块 620 Amp 1200 Volt 1180 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| ST303C12CFK1L | 功能描述:SCR模块 620 Amp 1200 Volt 1180 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| ST303C12CHK1-P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (PUK Version), 620 A |
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