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参数资料
| 型号： | ST333S04PEK3 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | ST333S04PEK3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST333S08PEK1 | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
| ST103S04PHJ1 | 165 A, 400 V, SCR, TO-209AC |
| ST303S12PEJ3L | 471 A, 1200 V, SCR, TO-209AE |
| ST303S12PHJ1 | 471 A, 1200 V, SCR, TO-209AE |
| ST333S04MFJ0 | 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ST333S04PFL0 | 功能描述:SCR 400 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| ST333S04PFM0 | 功能描述:SCR 400 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| ST333S04PFM1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:THYRISTOR 518A FAST |
| ST333S06PFLO | 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor |
| ST333S08MFL1P | 功能描述:SCR 800 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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