型号: | ST333S08MEL1 |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
文件页数: | 9/9页 |
文件大小: | 302K |
代理商: | ST333S08MEL1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ST333S08MEL3 | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
ST333S08MHL1 | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
ST333S08PDL1L | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
ST333S08PHL1L | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
ST333S08PFJ0 | 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ST333S08MFL1P | 功能描述:SCR 800 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
ST333S08PFL0 | 功能描述:SCR 800 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
ST333S08PFL0P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 330 A |
ST333S08PFL1P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (Stud Version), 330 A |
ST333S08PFM0 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:800V 518A Inverter Thyristor in a TO-209AE (TO-118) package |