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参数资料
型号： ST72C314N2
元件分类： 图像传感器
英文描述： CMOS Image Sensor
中文描述： CMOS图像传感器
文件页数： 45/153页
文件大小： 1988K
代理商： ST72C314N2
ST72334J/N, ST72314J/N, ST72124J
139/153
8-BIT ADC CHARACTERISTICS (Cont’d)
ADC Accuracy
Figure 99. ADC Accuracy Characteristics
Notes:
1. ADC Accuracy vs. Negative Injection Current:
For IINJ-=0.8mA, the typical leakage induced inside the die is 1.6A and the effect on the ADC accuracy is a loss of 1 LSB
for each 10K
increase of the external analog source impedance. This effect on the ADC accuracy has been observed
under worst-case conditions for injection:
- negative injection
- injection to an Input with analog capability, adjacent to the enabled Analog Input
- at 5V VDD supply, and worst case temperature.
2. Data based on characterization results with TA=25°C.
3. Data based on characterization results over the whole temperature range.
Symbol
Parameter
VDD=5V,
2)
fCPU=1MHz
VDD=5.0V,
3)
fCPU=8MHz
VDD=3.3V,
3)
fCPU=8MHz
Unit
Typ.
Max
Typ.
Max
Typ
Max
|ET|
Total unadjusted error 1)
2.0
LSB
EO
Offset error 1)
1.5
EG
Gain Error 1)
1.5
|ED|
Differential linearity error 1)
1.5
|EL|
Integral linearity error 1)
1.5
EO
EG
1LSBIDEAL
1LSB
IDEAL
V
DDA
V
SSA
–
256
-----------------------------------------
=
Vin (LSBIDEAL)
(1) Example of an actual transfer curve
(2) The ideal transfer curve
(3) End point correlation line
ET=Total Unadjusted Error: maximum deviation
between the actual and the ideal transfer curves.
EO=Offset Error: deviation between the first actual
transition and the first ideal one.
EG=Gain Error: deviation between the last ideal
transition and the last actual one.
ED=Differential Linearity Error: maximum deviation
between actual steps and the ideal one.
EL=Integral Linearity Error: maximum deviation
between any actual transition and the end point
correlation line.
Digital Result ADCDR
255
254
253
5
4
3
2
1
0
7
6
1234
567
253 254 255 256
(1)
(2)
ET
ED
EL
(3)
VDDA
VSSA
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PDF描述
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