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参数资料
型号： ST72F324BK4TCRS
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32
封装： 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-32
文件页数： 84/198页
文件大小： 2025K
代理商： ST72F324BK4TCRS
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Electrical characteristics
ST72324B-Auto
174/198
Doc ID13466 Rev 4
12.13.3
ADC accuracy
Figure 86.
ADC accuracy characteristics
Table 112.
ADC accuracy
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
Max(1)
Unit
ROM and
8/16 Kbyte
Flash
32 Kbyte
Flash
|ET|
Total unadjusted error(2)
V
DD
=
5V
(2
)
CPU in run mode @ fADC 2 MHz
34
6
LSB
|EO|
Offset error(2)
23
5
|EG|
Gain error(2)
0.5
3
4.5
|ED|
Differential linearity error(2)
12
2
|EL|
Integral linearity error(2)
3
1.
Data based on characterization results, monitored in production to guarantee 99.73% within ± max value from -40°C to
125°C (± 3
distribution limits).
2.
ADC accuracy vs. negative injection current: Injecting negative current may reduce the accuracy of the conversion being
performed on another analog input. Any positive injection current within the limits specified for IINJ(PIN) and IINJ(PIN) in
Section 12.9 does not affect the ADC accuracy.
EO
EG
1LSBIDEAL
1LSB
IDEAL
V
AREF
V
SSA
–
1024
--------------------------------------------
=
Vin (LSBIDEAL)
Digital result ADCDR
1023
1022
1021
5
4
3
2
1
0
7
6
1
2
34567
1021
1023
(1)
(2)
ET
ED
EL
(3)
VAREF
VSSA
(1) Example of an actual transfer curve.
(2) The ideal transfer curve.
(3) End point correlation line.
ET = Total Unadjusted Error: maximum
deviation between the actual and the ideal
transfer curves.
EO = Offset Error: deviation between the first
actual transition and the first ideal one.
EG = Gain Error: deviation between the last
ideal transition and the last actual one.
ED = Differential Linearity Error: maximum
deviation between actual steps and the ideal
one.
EL = Integral Linearity Error: maximum
deviation between any actual transition and the
end point correlation line.
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PDF描述
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