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参数资料
| 型号： | ST72SCR1x4T1 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8-BIT LOW-POWER, FULL-SPEED USB MCU WITH 16K FLASH, 768 RAM, SMARTCARD I/F, TIMER |
| 中文描述： | 8位低功耗，全速USB微控制器与16K的闪存，768内存，智能卡的I /楼，计时器 |
| 文件页数： | 87/102页 |
| 文件大小： | 1413K |
| 代理商： | ST72SCR1X4T1 |
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ST7SCR
87/102
EMC CHARACTERISTICS
(Cont’d)
14.7.3 ESD Pin Protection Strategy
To protect an integrated circuit against Electro-
Static Discharge the stress must be controlled to
prevent degradation or destruction of the circuit el-
ements. The stress generally affects the circuit el-
ements which are connected to the pads but can
also affect the internal devices when the supply
pads receive the stress. The elements to be pro-
tected must not receive excessive current, voltage
or heating within their structure.
An ESD network combines the different input and
output ESD protections. This network works, by al-
lowing safe discharge paths for the pins subjected
to ESD stress. Two critical ESD stress cases are
presented in
Figure 42
and
Figure 43
for standard
pins.
Standard Pin Protection
To protect the output structure the following ele-
ments are added:
– A diode to V
DD
(3a) and a diode from V
SS
(3b)
– A protection device between V
DD
and V
SS
(4)
To protect the input structure the following ele-
ments are added:
– A resistor in series with the pad (1)
– A diode to V
DD
(2a) and a diode from V
SS
(2b)
– A protection device between V
DD
and V
SS
(4)
Figure 42. Positive Stress on a Standard Pad vs. V
SS
Figure 43. Negative Stress on a Standard Pad vs. V
DD
IN
V
DD
V
SS
(1)
(2a)
(2b)
(4)
OUT
V
DD
V
SS
(3a)
(3b)
Main path
Path to avoid
IN
V
DD
V
SS
(1)
(2a)
(2b)
(4)
OUT
V
DD
V
SS
(3a)
(3b)
Main path
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST72FSCR1x4T1 | 8-BIT LOW-POWER, FULL-SPEED USB MCU WITH 16K FLASH, 768 RAM, SMARTCARD I/F, TIMER |
| ST72PSCR1x4T1 | 8-BIT LOW-POWER, FULL-SPEED USB MCU WITH 16K FLASH, 768 RAM, SMARTCARD I/F, TIMER |
| ST8024 | Smartcard interface |
| ST8024_06 | Smartcard interface |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ST72T101G1B6 | 功能描述:8位微控制器 -MCU OTP EPROM 4K SPI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ST72T101G1M6 | 功能描述:8位微控制器 -MCU OTP EPROM 4K SPI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ST72T101G2B6 | 功能描述:8位微控制器 -MCU OTP EPROM 8K SPI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ST72T101G2M6 | 功能描述:8位微控制器 -MCU RO 511-ST72C104G2M6 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ST72T121J2B6 | 功能描述:8位微控制器 -MCU OTP EPROM 8K SPI/SCI RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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