- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372324 > STB13NK60 (意法半导体) N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STB13NK60 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| 中文描述： | N沟道600V的0.48ohm - 13A条TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | STB13NK60 |
7/11
STB130NH02L
DIM.
mm.
TYP.
inch.
TYP.
MIN.
4.4
2.49
0.03
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
MAX.
4.6
2.69
0.23
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
MIN.
0.173
0.098
0.001
0.028
0.045
0.018
0.048
0.352
TYP.
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
D1
E
E1
G
L
L2
L3
M
R
V2
8
0.315
10
10.4
0.394
0.409
8.5
0.334
4.88
15
1.27
1.4
2.4
5.28
15.85
1.4
1.75
3.2
0.192
0.591
0.050
0.055
0.094
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
0.4
0.015
0°
8°
0°
8°
D
2
PAK MECHANICAL DATA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB13NK60Z | N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB13NK60ZT4 | N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB14NF10T4 | FUSEHOLDER 16POLE ALRM-IND PNLMT |
| STB14NK60Z-1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| STB14NK60 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB13NK60Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB13NK60Z_05 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
| STB13NK60Z-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB13NK60ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB13NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。