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参数资料
型号： STB13NK60Z
厂商： 意法半导体
英文描述： N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述： N沟道600V的0.48ohm - 13A条TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET
文件页数： 5/11页
文件大小： 410K
代理商： STB13NK60Z
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STB130NH02L
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature
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相关PDF资料
PDF描述
STB13NK60ZT4 N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB14NF10T4 FUSEHOLDER 16POLE ALRM-IND PNLMT
STB14NK60Z-1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB14NK60 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB14NF10 N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
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STB13NK60Z-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB13NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB13NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB13NM50N_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 500 V - 0.250 Ω - 12 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK
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