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参数资料
| 型号： | STB2180A-1 |
| 元件分类： | 开关 |
| 英文描述： | 0 MHz - 5000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 0.3 dB INSERTION LOSS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | STB2180A-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STC0414 | COPPER ALLOY, WIRE TERMINAL |
| STD1109T-681M-B | 1 ELEMENT, 680 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| STD1109T-561M-B | 1 ELEMENT, 560 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| STD1109T-471M-B | 1 ELEMENT, 470 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| STD1109T-470M-B | 1 ELEMENT, 47 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB21N65M5 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB21N90K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB21NK50Z | 功能描述:MOSFET N-ch 500 Volt 17Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB21NM50N | 功能描述:MOSFET 500V 0.15Ohm 18A N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB21NM50N-1 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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